[发明专利]存储器器件以及形成存储器器件的方法在审
| 申请号： | 202110571910.5 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113725356A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 黎佳俊;卓荣发;陈学深 | 申请（专利权）人： | 格芯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 以及 形成 方法 | ||
1.一种存储器器件，包括：
基底绝缘层；
底部电极，其布置在所述基底绝缘层内；
基本平面的开关层，其布置在所述基底绝缘层上方；以及
基本平面的顶部电极，其布置在所述开关层上方的相对于所述底部电极横向偏移的位置。
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述顶部电极包括邻接底面和侧面的底边缘，并且所述底部电极包括邻接顶面和侧面的顶边缘；
其中，所述顶部电极的所述侧面和所述底部电极的所述侧面中的一者是右面，所述顶部电极的所述侧面和所述底部电极的所述侧面中的另一者是左面；以及
其中，所述顶部电极的所述底边缘和所述底部电极的所述顶边缘至少部分地沿着相同的垂直平面延伸。
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的正面和所述底部电极的正面至少部分地沿着相同的垂直平面延伸；
其中，所述顶部电极的所述正面和所述底部电极的所述正面面向相同的方向；以及
其中，分别地，所述顶部电极的所述正面邻接所述顶部电极的所述侧面，所述底部电极的所述正面邻接所述底部电极的所述侧面。
4.根据权利要求2所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的正面和所述底部电极的正面至少部分地沿着彼此基本平行且彼此横向间隔开的不同垂直平面延伸；
其中，所述顶部电极的所述正面和所述底部电极的所述正面面向相同的方向；以及
其中，分别地，所述顶部电极的所述正面邻接所述顶部电极的所述侧面，所述底部电极的所述正面邻接所述底部电极的所述侧面。
5.根据权利要求4所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的拐角与所述底部电极的拐角垂直对齐；
其中，所述顶部电极的所述拐角和所述底部电极的所述拐角中的一者邻接所述电极的正面与两个另外的表面，所述顶部电极的所述拐角和所述底部电极的所述拐角中的另一者邻接所述电极的背面与两个另外的表面。
6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述顶部电极包括邻接底面和侧面的底边缘，所述底部电极包括邻接顶面和侧面的顶边缘，
其中，所述顶部电极的所述侧面和所述底部电极的所述侧面中的一者是右面，所述顶部电极的所述侧面和所述底部电极的所述侧面中的另一者是左面；以及
其中，所述顶部电极的所述底边缘和所述底部电极的所述顶边缘至少部分地沿着彼此横向偏移的不同垂直平面延伸。
7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的所述底面与所述底部电极的所述顶面部分地重叠。
8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的正面和所述底部电极的正面至少部分地沿着相同的垂直平面延伸，其中，所述顶部电极的所述正面和所述底部电极的所述正面面向相同的方向。
9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的正面和所述底部电极的正面至少部分地沿着彼此基本平行且彼此横向间隔开的不同垂直平面延伸，其中，所述顶部电极的所述正面和所述底部电极的所述正面面向相同的方向。
10.根据权利要求9所述的存储器器件，其中，所述底部电极的所述顶面与所述顶部电极的拐角重叠，所述顶部电极的所述底面与所述底部电极的拐角重叠；
其中，所述顶部电极的所述拐角和所述底部电极的所述拐角中的一者邻接所述电极的正面与两个另外的表面，所述顶部电极的所述拐角和所述底部电极的所述拐角中的另一者邻接所述电极的背面与两个另外的表面。
11.根据权利要求10所述的存储器器件，其中，所述底部电极包括彼此基本垂直的第一区段和第二区段，并且其中，所述底部电极的所述拐角位于所述第一区段和所述第二区段之间。
12.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述顶部电极的所述底面和所述底部电极的所述顶面具有相同的形状。
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