[发明专利]一种YAG单晶包层制备方法及装置有效
申请号: | 202110569428.8 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113308737B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 王宇;顾鹏;梁振兴 | 申请(专利权)人: | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B9/12;G02B6/02 |
代理公司: | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人: | 严芳芳 |
地址: | 620010 四川省眉*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本说明书实施例提供一种YAG单晶包层制备方法,包括:将YAG原料和助溶剂置于生长腔体内;通过温控组件的加热部件加热生长腔体,使生长腔体内部形成至少三个温度区间,至少三个温度区间至少包括从下至上依次相邻的溶解区、包层生长区和缓冲区,其中,溶解区、包层生长区和缓冲区分别对应第一轴向温度梯度、第二轴向温度梯度和第三轴向温度梯度;第一轴向温度梯度>第三轴向温度梯度>第二轴向温度梯度,将掺杂YAG单晶光纤浸没于包层生长区,以及基于YAG原料和掺杂YAG单晶光纤,在掺杂YAG单晶光纤表面生长YAG单晶包层。 | ||
搜索关键词: | 一种 yag 包层 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
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