[发明专利]图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆在审
| 申请号： | 202110560337.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113359394A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吴小真;杨棋铭;刘旭水 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 第一 半导体 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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