[发明专利]图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆

说明书

公开了用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法。将光学掩模定位在第一半导体晶圆上方。通过将来自光源的光引导穿过光掩模的透明区域来图案化第一半导体晶圆的第一区域。通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化第一半导体晶圆的第二区域，其中第二区域的图案化包括直射束写入。本发明的实施例还涉及通过工艺生产的图案化的半导体晶圆和在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及图案化第一半导体晶圆的光刻方法和图案化的半导体晶圆。

背景技术

半导体制造技术包括由半导体晶圆形成半导体管芯。许多管芯由单个晶圆形成。管芯可以包括通过使晶圆经受诸如光刻的半导体处理技术而形成的半导体电路和/或半导体器件。在形成管芯之后，切割晶圆以将单独的管芯彼此物理分离。

发明内容

本发明的实施例提供了一种用于图案化第一半导体晶圆的光刻方法，包括：将光学掩模定位在所述第一半导体晶圆上方；通过将来自光源的光引导穿过所述光学掩模的透明区域，图案化所述第一半导体晶圆的第一区域；以及通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化所述第一半导体晶圆的所述第二区域，其中，所述第二区域的图案化包括直射束写入。

本发明的另一实施例提供了一种通过工艺生产的图案化的半导体晶圆，所述工艺包括：通过将半导体晶圆在第一半导体晶圆保持器处暴露于光源来图案化所述半导体晶圆的至少一些；将所述半导体晶圆从所述第一半导体晶圆保持器传送至第二半导体晶圆保持器；以及通过将所述半导体晶圆在所述第二半导体晶圆保持器处暴露于来自直射束写入器的能量束来图案化所述半导体晶圆的至少一些。

本发明的又一实施例提供了一种在半导体晶圆上写入光刻伪图案的方法，包括：通过将来自光源的光穿过光学掩模的透明区域引导至第一区域，图案化所述半导体晶圆的所述第一区域；确定所述第一区域的图案密度；以及通过将来自能量源的能量引导至第二区域来图案化所述半导体晶圆的所述第二区域，以在所述第二区域上写入所述光刻伪图案，其中，所述光刻伪图案的图案密度基于所述第一区域的图案密度。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻胶室。

图2示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻室。

图3示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光学掩模。

图4A至图4B示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的晶圆的区域。

图5示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻系统。

图6示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻系统。

图7示出了根据一些实施例的在半导体晶圆光刻之后的晶圆。

图8示出了根据一些实施例的在半导体晶圆光刻之后的晶圆。

图9示出了根据一些实施例的在半导体晶圆光刻之后的晶圆。

图10示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻系统。

图11示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻系统。

图12示出了根据一些实施例的用于半导体晶圆光刻的光刻系统。

图13示出了根据一些实施例的半导体晶圆光刻的方法。

图14示出了根据一些实施例的示例性计算机可读介质。

图15示出了根据一些实施例的示例计算环境，其中可以实现本文阐述的一个或多个规定。