[发明专利]液处理方法和液处理装置在审
| 申请号： | 202110551004.9 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113745102A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谷卓哉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够在使用液处理装置对基片进行液处理时，提高生产率的液处理方法和液处理装置。对基片供给处理液以进行液处理的液处理方法中，当在第一涂敷模块中执行第一喷嘴的试喷时，在第二涂敷模块中成为能够对作为下一个液处理对象的基片开始液处理的状态之前，判断并决定是否进行第二喷嘴的试喷，其中，上述第一喷嘴是在上述第一涂敷模块中用于将上述处理液供给到基片以进行该基片的液处理的喷嘴，上述第二喷嘴是在第二涂敷模块中对作为上述基片的上述下一个液处理对象的基片供给上述处理液以进行液处理的喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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