[发明专利]液处理方法和液处理装置在审
申请号: | 202110551004.9 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113745102A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 谷卓哉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种对基片供给处理液以进行液处理的液处理方法,其特征在于:
当在第一涂敷模块中执行第一喷嘴的试喷时,在第二涂敷模块中成为能够对作为下一个液处理对象的基片开始液处理的状态之前,判断并决定是否进行第二喷嘴的试喷,
其中,所述第一喷嘴是在所述第一涂敷模块中用于将所述处理液供给到基片以进行该基片的液处理的喷嘴,所述第二喷嘴是在第二涂敷模块中对作为所述基片的所述下一个液处理对象的基片供给所述处理液以进行液处理的喷嘴。
2.如权利要求1所述的液处理方法,其特征在于:
在所述第一涂敷模块中,由第一喷嘴对基片供给所述处理液以进行液处理的基片,是为了按照预定的处理方案进行液处理而连续地进行液处理的多个基片中的最先进行液处理的基片。
3.如权利要求1所述的液处理方法,其特征在于:
在所述第一喷嘴的试喷完成之前,决定是否执行所述第二喷嘴的试喷。
4.如权利要求1~3中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
是否进行所述第二喷嘴的试喷的决定,是根据所述判断的时刻的所述第二喷嘴的喷嘴状态进行的。
5.如权利要求4所述的液处理方法,其特征在于:
是否进行所述第二喷嘴的试喷的决定,是还根据基于所述第二喷嘴的非处理状态的经过时间的所述第二喷嘴的喷嘴状态进行的,其中,所述第二喷嘴的非处理状态的经过时间是加上了自所述决定的时刻起至所述第二喷嘴的试喷的执行预定时刻为止的时间后的时间。
6.如权利要求1~3中任一项所述的液处理方法,其特征在于:
所述第二喷嘴的试喷是成为所述第二喷嘴不进行基片处理关联动作的状态后开始的。
7.一种对基片供给处理液以进行液处理的液处理装置,其特征在于,包括:
第一涂敷模块,其对基片从第一喷嘴供给所述处理液以进行液处理;
第二涂敷模块,其对基片从第二喷嘴供给所述处理液以进行液处理;和
控制装置,其控制所述第一涂敷模块和所述第二涂敷模块,
所述控制装置构成为,当决定了执行所述第一喷嘴的试喷时,在所述第二涂敷模块中的液处理能够开始之前,判断并决定是否进行所述第二喷嘴的试喷。
8.如权利要求7所述的液处理装置,其特征在于:
在所述第一涂敷模块中,由第一喷嘴对基片供给所述处理液以进行液处理的基片,是按照预定的处理方案最先进行液处理的基片。
9.如权利要求7所述的液处理装置,其特征在于:
在所述第一喷嘴的试喷完成之前,由所述控制装置决定是否进行所述第二喷嘴的试喷。
10.如权利要求7~9中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
是否进行所述第二喷嘴的试喷的决定,是根据所述判断的时刻的所述第二喷嘴的喷嘴状态进行的。
11.如权利要求10所述的液处理装置,其特征在于:
是否进行所述第二喷嘴的试喷的决定,是还根据基于所述第二喷嘴的非处理状态的经过时间的所述第二喷嘴的喷嘴状态进行的,其中,所述第二喷嘴的非处理状态的经过时间是加上了所述第一喷嘴的试喷的执行预定时间后的时间。
12.如权利要求7~9中任一项所述的液处理装置,其特征在于:
所述第二喷嘴的试喷是成为所述第二喷嘴不进行基片处理关联动作的状态后开始的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110551004.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造