[发明专利]液处理方法和液处理装置

说明书

本发明提供能够在使用液处理装置对基片进行液处理时，提高生产率的液处理方法和液处理装置。对基片供给处理液以进行液处理的液处理方法中，当在第一涂敷模块中执行第一喷嘴的试喷时，在第二涂敷模块中成为能够对作为下一个液处理对象的基片开始液处理的状态之前，判断并决定是否进行第二喷嘴的试喷，其中，上述第一喷嘴是在上述第一涂敷模块中用于将上述处理液供给到基片以进行该基片的液处理的喷嘴，上述第二喷嘴是在第二涂敷模块中对作为上述基片的上述下一个液处理对象的基片供给上述处理液以进行液处理的喷嘴。

技术领域

本发明涉及液处理方法和液处理装置。

背景技术

专利文献1记载了一种基片处理装置，其通过将基片送入送出多个处理部并对其实施处理，来在基片表面形成薄膜，其中该处理部包括用于从喷嘴部件供给处理液以形成薄膜的薄膜形成部，该基片处理装置包括：在对上述基片供给处理液以形成薄膜的薄膜形成时期和在薄膜形成时期以外的时候释放处理液的预喷(pre-dispense)时期，从上述喷嘴部件释放处理液的液释放驱动装置；控制上述液释放驱动装置的控制装置；以及将上述预喷动作的时机(timing)设定为与基片的处理条件相应的时机的时机设定装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平10-32157号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术在使用液处理装置对基片进行液处理时，提高生产率。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方面是对基片供给处理液以进行液处理的液处理方法，当在第一涂敷模块中执行第一喷嘴的试喷时，在第二涂敷模块中成为能够对作为下一个液处理对象的基片开始液处理的状态之前，判断并决定是否进行第二喷嘴的试喷，其中，上述第一喷嘴是在上述第一涂敷模块中用于将上述处理液供给到基片以进行该基片的液处理的喷嘴，上述第二喷嘴是在第二涂敷模块中对作为上述基片的上述下一个液处理对象的基片供给上述处理液以进行液处理的喷嘴。

发明效果

依照本发明，在使用液处理装置对基片进行液处理时，能够提高生产率。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的抗蚀剂涂敷装置的概要结构的俯视图。

图2是表示在用图1的抗蚀剂涂敷装置对晶片进行抗蚀剂涂敷处理时的晶片的处理顺序的说明图。

图3是表示使用本实施方式的抗蚀剂涂敷装置进行试喷的处理流程的一例的流程图。

图4是表示在用抗蚀剂涂敷装置对晶片进行抗蚀剂涂敷处理时的各涂敷模块中的处理状况的时序图，(a)表示现有的处理流程，(b)表示实施方式的处理流程。

图5是表示在用另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置对晶片进行抗蚀剂涂敷处理时的晶片的处理顺序的说明图。

图6是表示在用另一实施方式的抗蚀剂涂敷装置对晶片进行抗蚀剂涂敷处理时的晶片的处理顺序的说明图。

附图标记说明

1 抗蚀剂涂敷装置

10、50 涂敷处理单元

20、30、60、70 涂敷模块

40、80 喷嘴

41、31 臂

42、82 引导件

43、83 水平移动部

44、84 喷嘴槽