[发明专利]碳化硅晶片及其退火激活方法在审
| 申请号： | 202110546675.6 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN115376896A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 袁述;苗青;黎力;陈蕾;曹可 | 申请（专利权）人： | 江苏中科汉韵半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅晶片及其退火激活方法，属于本申请涉及半导体器件制备领域。本申请提供的碳化硅晶片的退火激活方法，通过在碳化硅晶片的第一表面进行离子注入；在碳化硅晶片的第一表面进行镀膜，形成镀膜层；将所述碳化硅晶片的镀膜层与第一晶片的一侧表面贴合，得到贴合后的晶片；将所述贴合后的晶片进行退火处理；能够使得在高温退火处理时彼此贴合的晶片互相形成保护，减少高温退火处理对碳化硅晶片的影响，贴合面的镀膜在高温时发生熔融提高碳化硅晶片表面离子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 及其 退火 激活 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
