[发明专利]多栅极环绕晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110541830.5 | 申请日： | 2021-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN115377178A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 文燎勇;王梓臣;王朗;李继业 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 310024 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体器件领域，公开了一种多栅极环绕晶体管及其制备方法。本发明中，一种多栅极环绕晶体管，包括：至少一个半导体纳米线，半导体纳米线四周环绕设置有T个栅极纳米线，半导体纳米线和栅极纳米线之间设有绝缘介质层；半导体纳米线的两端分别作为晶体管的源极和漏极；T为大于等于2的整数。该实施例解决了多栅极晶体管因半导体纳米线共用一个栅极而无法实现寻址性控制的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 环绕 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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