[发明专利]多栅极环绕晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种多栅极环绕晶体管，其特征在于，包括：至少一个半导体纳米线，所述半导体纳米线四周环绕设置有T个栅极纳米线，所述半导体纳米线和所述栅极纳米线之间设有绝缘介质层；所述半导体纳米线的两端分别作为所述晶体管的源极和漏极；T为大于等于2的整数。

2.根据权利要求1所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，所述半导体纳米线位于所述T个栅极纳米线围成的区域的中心位置。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，T≤4。

4.根据权利要求3所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，所述半导体纳米线呈阵列排布，形成第一阵列，所述栅极纳米线呈阵列排布，形成第二阵列。

5.根据权利要求4所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，还包括：第一引线，位于同一行的所述半导体纳米线分别通过所述第一引线电连接；

第二引线，位于同一列的所述半导体纳米线分别通过所述第二引线电连接；

其中，所述第一引线和所述第二引线分别位于所述半导体纳米线两端的端面。

6.根据权利要求4所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，还包括：第三引线，位于同一行的所述栅极纳米线分别通过所述第三引线电连接；

第四引线，位于同一列的所述栅极纳米线分别通过所述第四引线电连接；

其中，所述第三引线和所述第四引线分别位于所述栅极纳米线两端的端面。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，所述半导体纳米线两端的端面分别与所述栅极纳米线两端的端面平齐。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的多栅极环绕晶体管，其特征在于，所述半导体纳米线的截面形状为十字叉形，其中，截面垂直于所述半导体纳米线的生长方向，且从所述截面上看，所述十字叉形凸出部分位于所述半导体纳米线周围环绕的所述栅极纳米线之间；和/或，

所述栅极纳米线的截面形状为十字叉形，其中，截面垂直于所述栅极纳米线的生长方向，且从所述截面上看，所述十字叉形凸出部分位于所述栅极纳米线周围环绕的所述半导体纳米线之间。

9.一种如权利要求1至8中任一项所述的多栅极环绕晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在绝缘模板上制备至少一个第一孔，并在所述绝缘模板上制备至少T个第二孔；每个所述第一孔的四周环绕有T个所述第二孔；T为大于等于2的整数；

在所述第一孔中沉积半导体纳米线，并在所述第二孔中沉积栅极纳米线；其中，所述半导体纳米线的两端分别作为所述晶体管的源极和漏极。

10.根据权利要求9所述的多栅极环绕晶体管的制备方法，其特征在于，所述绝缘模板为二元孔阳极氧化铝模板。