[发明专利]图像传感器源跟随晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种图像传感器源跟随晶体管的制造方法，包括：在半导体基底中进行第一掺杂类型的离子注入，形成沟道掺杂区域；在所述沟道掺杂区域上方依次形成栅极介质层和栅极；其中，所述沟道掺杂区域的宽度大于所述栅极的宽度。本发明的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，在保持一定的栅极宽度前提下，将沟道掺杂区域的宽度扩展到栅极宽度以外，从而将沟道耗尽区移动到栅极外侧，增加了有效沟道宽度；预留了足够的冗余宽度，保证晶体管沟道宽度不受光刻套刻偏差的影响；足够大的注入窗口面积降低了埋沟注入的光刻要求；从而实现在提高源跟随晶体管跨导的同时，减少工艺偏差带来的性能影响，提高工艺稳定性，改善图像传感器的整体性能。