[发明专利]图像传感器源跟随晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体基底中进行第一掺杂类型的离子注入，形成沟道掺杂区域；

在所述沟道掺杂区域上方依次形成栅极介质层和栅极；

其中，所述沟道掺杂区域的宽度大于所述栅极的宽度。

2.如权利要求1所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，第一掺杂类型的离子注入之前或之后，沿着所述沟道掺杂区域的宽度方向多次进行与所述沟道掺杂区域表面呈倾斜角度的第二掺杂类型的离子注入，所述第二掺杂类型的离子注入深度与第一掺杂类型的离子注入深度存在重叠，以使得第一掺杂类型的离子注入浓度沿着所述沟道掺杂区域的宽度方向形成两侧浓度高，中央浓度低的梯度分布。

3.如权利要求1所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，栅极形成之后，再次进行第一掺杂类型的离子注入，以使得未被栅极覆盖的沟道掺杂区域具有比被栅极覆盖的沟道掺杂区域更高的第一掺杂类型的离子注入浓度。

4.如权利要求1所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，栅极形成之后，在所述栅极两侧形成栅极侧墙，所述沟道掺杂区域的宽度大于所述栅极及其两侧的栅极侧墙的总宽度，在栅极侧墙外围的半导体基底中进行第二掺杂类型的离子注入，形成钉扎注入区域，所述钉扎注入区域覆盖所述沟道掺杂区域的边缘。

5.如权利要求4所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，所述沟道掺杂区域的宽度比所述栅极及其两侧的栅极侧墙的总宽度大至少30纳米。

6.如权利要求3所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，栅极形成之前的第一掺杂类型的离子注入和栅极形成之后的第一掺杂类型的离子注入使用相同的光罩。

7.如权利要求2所述的图像传感器源跟随晶体管的制造方法，其特征在于，第二掺杂类型的离子注入与第一掺杂类型的离子注入在同一光刻步骤之后进行。