[发明专利]一种硅及硅基半导体片的无损切割设备和工艺

摘要

本发明提供一种硅及硅基半导体片的无损切割设备和工艺。先在硅片的两端通过开槽激光头切割深度大于硅片厚度30％的引导槽，再以一端的引导槽为起点沿直线方向边通过热裂激光加热、边通过去离子冷却水冷却硅片直至硅片的尾部引导槽边缘，得到多个硅片。本发明中，切割平台的水冷板采用水冷循环方式，来降低硅片的温度，使整个切割平台的温度控制在0℃左右，从而硅片本身的温度始终保持在0℃，在硅片表面激光加热形成局部高温，使硅片热裂部位和硅片其他部位形成了稳定的大幅温差，从而由于温度不均，沿着热裂的部分产生了应力不均，自动裂开，实现可靠稳定裂片，有效减轻沿分割垂直方向上的隐裂，提升光伏组件质量可靠性和发电功率。