[发明专利]形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置在审
| 申请号： | 202110522833.4 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113745105A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 须田隆太郎;熊谷圭惠;户村幕树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/8242;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成用于抑制弧状弯曲的保护侧壁层的方法以及装置。基板处理装置实施蚀刻基板的方法。本方法包括蚀刻基板而在基板形成凹部的第一部分的第一工序。凹部的第一部分包括底面和侧壁。本方法还包括：在侧壁内或侧壁上形成氟硅酸铵(AFS)层的第二工序，以及接着蚀刻底面而形成凹部的第二部分的第三工序。第三工序在维持由AFS层对侧壁的保护的同时实施。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 抑制 弯曲 保护 侧壁 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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