[发明专利]具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110520704.1 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN113488567B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了具有复合过渡层的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。复合过渡层中SiO |
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| 搜索关键词： | 具有 复合 过渡 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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