[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 202110520642.4 | 申请日： | 2021-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114078968B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 黄尧峰;温文莹 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 侯天印;郝博 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含将第一停止层形成于半导体结构之上。半导体装置的制造方法也包含将源极结构与漏极结构形成于半导体结构之上并与第一停止层相邻。源极结构与漏极结构彼此分离。半导体装置的制造方法更包含将堆叠结构形成于第一停止层、源极结构与漏极结构之上。部分堆叠结构位于源极结构与漏极结构之间。此外，半导体装置的制造方法包含通过多个湿刻蚀工艺与至少一干刻蚀工艺在堆叠结构中形成凹槽。凹槽裸露第一停止层的顶表面。半导体装置的制造方法也包含将栅电极层形成于凹槽中。本发明能有效解决阶梯覆盖的问题，同时可简化工艺进而缩短工艺时间并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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