[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置包括：

将第一停止层形成于半导体结构之上；

将源极结构与漏极结构形成于所述半导体结构之上，其中所述源极结构与所述漏极结构彼此分离，且所述源极结构的底部及所述漏极结构的底部与所述第一停止层相邻；

将堆叠结构形成于所述第一停止层、所述源极结构与所述漏极结构之上，其中部分所述堆叠结构位于所述源极结构与所述漏极结构之间；所述堆叠结构为交错堆叠的氧化层及氮化层，且所述堆叠结构的最底层与所述第一停止层为不同的材料；

通过多个湿刻蚀工艺与至少干刻蚀工艺在所述堆叠结构中形成凹槽，其中所述凹槽裸露所述第一停止层的顶表面；以及

将栅电极层形成于所述凹槽中。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述堆叠结构形成于所述第一停止层之上的步骤包括：

将多个绝缘层与至少一第二停止层形成于所述第一停止层之上，其中所述至少一第二停止层设置于所述多个绝缘层之间。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：

通过所述多个湿刻蚀工艺将每一所述绝缘层的一部分移除；及

通过所述至少一干刻蚀工艺将所述至少一第二停止层的一部分移除。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述多个湿刻蚀工艺将所述每一所述绝缘层的一部分移除后形成移除空间，所述移除空间在半导体装置的剖面中具有倾斜侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一停止层与所述半导体结构直接接触。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：

将第一停止层形成于半导体结构之上；

将源极结构与漏极结构形成于所述半导体结构之上，其中所述源极结构与所述漏极结构彼此分离，且所述源极结构的底部及所述漏极结构的底部与所述第一停止层相邻；

将第一绝缘层、第二停止层与第二绝缘层依序形成于所述第一停止层、所述源极结构与所述漏极结构之上，其中部分所述第一绝缘层、部分所述第二停止层及部分所述第二绝缘层位于所述源极结构与所述漏极结构之间；所述第一绝缘层、所述第二绝缘层及所述第二停止层形成交错堆叠的氧化层及氮化层，且所述第一绝缘层与所述第一停止层为不同的材料；

执行湿刻蚀工艺以在所述第二绝缘层上形成第一移除空间；

执行干刻蚀工艺以移除所述第二停止层的一部分；

执行另一湿刻蚀工艺以在所述第一绝缘层上形成第二移除空间；以及

将栅电极层形成于所述第一移除空间与所述第二移除空间中。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一移除空间与所述第二移除空间在半导体装置的剖面中分别具有倾斜侧壁。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二移除空间在半导体装置的所述剖面中的最大宽度小于所述第一移除空间在半导体装置的所述剖面中的最大宽度。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将第一停止层形成于半导体结构之上；

将源极结构与漏极结构形成于所述半导体结构之上，其中所述源极结构与所述漏极结构彼此分离，且部分所述第一停止层设置于所述半导体结构与所述漏极结构之间；

将堆叠结构形成于所述第一停止层、所述源极结构与所述漏极结构之上，其中部分所述堆叠结构位于所述源极结构与所述漏极结构之间；所述堆叠结构为交错堆叠的氧化层及氮化层，且所述堆叠结构的最底层与所述第一停止层为不同的材料；

通过多个湿刻蚀工艺与多个干刻蚀工艺在所述堆叠结构中形成凹槽，其中所述多个湿刻蚀工艺与所述多个干刻蚀工艺的数量相同，且所述凹槽裸露所述半导体结构的部分顶表面；以及

将栅电极层形成于所述凹槽中。