[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法在审
| 申请号： | 202110510311.2 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN113675207A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王宜平;A·李;李皓玉;M·J·金;W·Y·吴;Y·J·胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11565 | 分类号： | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件，其具有含有半导体材料的第一结构，且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约10 |
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| 搜索关键词： | 集成 组件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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