[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法在审
申请号: | 202110510311.2 | 申请日: | 2021-05-11 |
公开(公告)号: | CN113675207A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 王宜平;A·李;李皓玉;M·J·金;W·Y·吴;Y·J·胡 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11565 | 分类号: | H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王艳娇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 组件 形成 方法 | ||
本发明涉及集成组件以及形成集成组件的方法。一些实施例包含一种集成组件,其具有含有半导体材料的第一结构,且具有接触所述第一结构的第二结构。所述第一结构具有沿着与所述第二结构的界面的组成物。所述组成物包含浓度在约1018原子/cm3到约1021原子/cm3范围内的添加剂。所述添加剂包含碳、氧、氮和硫中的一或多种。一些实施例包含形成集成组件的方法。
技术领域
本发明公开了集成组件(例如,存储器布置)以及形成集成组件的方法。
背景技术
存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器,且大量用于现代计算机和装置中。例如,现代个人计算机可将基本输入输出系统(Basic Input OutputSystem,BIOS)存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例,计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器变得越来越常见。作为又一实例,快闪存储器在无线电子装置中风行,因为其使制造商能够在新通信协议变得标准化时支援所述新通信协议,且提供远端地升级装置以用于增强特征的能力。
NAND可以是快闪存储器的基本架构,且可构造成包括竖直堆叠的存储器单元。
在具体地描述NAND之前,可能有帮助的是更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系。图1展示现有技术装置1000的框图,所述现有技术装置包含:存储器阵列1002,其具有布置成行和列的多个存储器单元1003;以及存取线1004(例如,用以传导信号WL0到WLm的字线)和第一数据线1006(例如,用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004和第一数据线1006可用以向和从存储器单元1003传送信息。行解码器1007和列解码器1008对地址线1009上的地址信号A0到AX进行解码,以确定将存取存储器单元1003中的哪些。感测放大器电路1015操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从存储器单元1003读取或待写入到所述存储器单元中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020而与装置1000通信。存储器控制单元1018用以控制待对存储器单元1003执行的存储器操作,并利用控制线1020上的信号。装置1000可在第一供应线1030和第二供应线1032上分别接收供应电压信号Vcc和Vss。装置1000包含选择电路1040和输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017而对信号CSEL1到CSELn作出响应,以在第一数据线1006和第二数据线1013上选择可表示待从存储器单元1003读取或待编程到所述存储器单元中的信息的值的信号。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号而选择性地启动CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可选择第一数据线1006和第二数据线1013上的信号,以在读取和编程操作期间在存储器阵列1002与I/O电路1017之间提供通信。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110510311.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的