[发明专利]具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110509466.4 | 申请日： | 2021-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN115332332A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 叶治东;侯俊良;廖文荣;李瑞池 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有较低接触电阻的半导体晶体管结构及其制作方法，其中该具有较低接触电阻的半导体晶体管结构，包含：一基底；一通道层，设于所述基板上；一阻障层，设于所述通道层上；一二维电子气层，位于所述阻障层和所述通道层间的界面处；一凹槽，设于一接触区域中，其中所述凹槽穿过所述阻障层并延伸到所述通道层中；以及一欧姆接触金属，设置在所述凹槽中，其中所述欧姆接触金属与所述凹槽中的所述阻障层的一垂直侧面直接接触，并且与所述凹槽中的所述二维电子气层和所述通道层的一倾斜侧面直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接触 电阻 半导体 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110509466.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储结构及其制造方法
- 下一篇：研磨机及其箱体
- 同类专利
- 专利分类
