[发明专利]存储结构及其制造方法

摘要

本公开是关于一种存储结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。该存储结构及制造方法可以减少字线之间的漏电流，增加数据的保持时间，改善行锤效应。