[发明专利]存储结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；

在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；

在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；

形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。

2.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：

在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，使得位于同一列的多个所述有源区相互平行；和/或，

位于相邻两列的所述有源区相互平行或者相对倾斜设置；

其中，以所述第一方向作为列延伸的方向。

3.如权利要求2所述的存储结构的制造方法，其特征在于，位于相邻的两列的所述有源区相对倾斜设置时，位于相邻的两列的所述有源区的延伸方向的夹角为90°～130°。

4.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：

在所述衬底上形成图形掩膜，所述图形掩膜暴露部分所述衬底，所述图形掩膜在所述衬底上的投影图形为阵列排布的多个分立的柱状图形或波浪状图形；

部分去除暴露的衬底，以形成隔离沟槽；

在所述隔离沟槽内填充绝缘材料，以形成浅沟槽隔离结构；

去除所述图形掩膜。

5.如权利要求4所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述波浪状图形包含依次连接的第一曲折部、第二曲折部和第三曲折部；所述第一曲折部和所述第三曲折部沿所述第二方向延伸，所述第一方向倾斜于所述第二曲折部的延伸方向；各所述有源区包含对应于所述第一曲折部的第一端部、对应于所述第二曲折部的沟道部和对应于所述第三曲折部的第二端部，所述有源区的沟道部与一条所述字线相交。

6.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，形成多个电容包括：

在相邻位线之间形成多个间隔结构，各所述间隔结构沿所述第二方向排列，所述间隔结构与各所述位线围绕形成凹槽；

在所述凹槽内形成电容接触；

在所述电容接触上形成电容。

7.如权利要求1所述的存储结构的制造方法，其特征在于，所述多个电容呈六方密堆积。

8.一种存储结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有阵列排布的多个分立的有源区；

多条字线，所述多条字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向，每个所述有源区仅与一条所述字线相交；

多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；

多个位线接触，每个所述位线接触位于每个所述有源区的第一端部，每个所述有源区分别通过位于其第一端部的所述位线接触与该位线接触所在的一条位线连接；

多个电容，每个所述有源区的第二端部与所述多个电容中的一个电容连接。

9.根据权利要求8所述的存储结构，其特征在于，所述存储结构还包括形成于所述衬底的隔离结构，所述隔离结构围成所述有源区；

所述隔离结构在所述衬底的投影所围成的形状被设置为阵列排布的多个分立的柱状图形或者波浪状图形。