[发明专利]存储结构及其制造方法

说明书

本公开是关于一种存储结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。该存储结构及制造方法可以减少字线之间的漏电流，增加数据的保持时间，改善行锤效应。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储结构及其制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，其结构简单，单位体积的容量较高，因此成本较低。DRAM的信息是存储在在电容当中，电容中的电荷会因为漏电流存在而逐渐漏掉，因此需要不断刷新，这也是DRAM称为动态的原因。

DRAM中相邻晶体管导通会导致漏电流现象的发生，从而造成DRAM的可靠性下降。因此，漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。

此外，目前的DRAM器件的设计使得DRAM容易受到行锤(Rowhammer)效应的影响。行锤效应例如是，利用临近内存单元之间电子的互相影响，在足够多的访问次数后让某个单元的值从1变成0。从而Rowhammer效应是影响DRAM可靠性和安全性的主要问题之一。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供一种存储结构及其制造方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储结构的制造方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区；

在所述衬底中形成多条埋入式字线，每个所述有源区仅与一条所述字线相交，所述字线沿第一方向延伸，所述第一方向倾斜于所述有源区的延伸方向；

在每个所述有源区的第一端部上形成位线接触，且形成多条位线，所述多条位线沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，每个所述有源区的所述第一端部与一个所述位线接触连接，并且与所述位线接触所位于的一条位线连接；

形成多个电容，每个所述有源区的第二端部与一个所述电容连接。

在可选实施方式中，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：

在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，使得位于同一列的多个所述有源区相互平行；和/或，

位于相邻两列的所述有源区相互平行或者相对倾斜设置；

其中，以所述第一方向作为列延伸的方向。

在可选实施方式中，位于相邻的两列的所述有源区相对倾斜设置时，位于相邻的两列的所述有源区的延伸方向的夹角为90°～130°。

在可选实施方式中，所述在所述衬底上形成阵列排布的多个分立的有源区，包括：

在所述衬底上形成图形掩膜，所述图形掩膜暴露部分所述衬底，所述图形掩膜在所述衬底上的投影图形为阵列排布的多个分立的柱状图形或波浪状图形；

部分去除暴露的衬底，以形成隔离沟槽；

在所述隔离沟槽内填充绝缘材料，以形成浅沟槽隔离结构；

去除所述图形掩膜。