[发明专利]晶片接合对准的方法在审
| 申请号： | 202110505952.9 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114709140A | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 许希丞;翁睿均;李国豪;胡景翔;蒋季宏;林家妤;洪嘉骏;涂延杰;苏健泰;陈信宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/544 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过在所述装置之间使用切割道来实现将被接合的衬底上形成的装置的对准，其中切割道的尺寸从衬底中的一者或多者的中心到边缘逐渐增加或减小，以补偿衬底的热膨胀率的差异。由于切割道的尺寸逐渐增加或减小，在接合操作期间，随着衬底被加热，衬底上的装置被对准。切割道能够在衬底中沿单个方向排列以补偿衬底沿着单个轴的热膨胀，或者能够沿多个方向排列以补偿辐射对称的热膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 接合 对准 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
