[发明专利]一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法在审
| 申请号： | 202110498130.2 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113308718A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黎荣林;王静辉;崔健;段磊;郭跃伟 | 申请（专利权）人： | 河北博威集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/18;C25D3/62 |
| 代理公司： | 河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙) 13157 | 代理人： | 武哲 |
| 地址： | 050000 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，涉及芯片电镀技术领域。一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其合成步骤如下：以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0‑7.0，开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂。本发明可以获得合金组成质量分数波动度较小的合金镀层，提高了镀层的稳定性，使得合金镀层的熔点均一，从而有利于焊接凸块熔点，提高了电子产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 微波 大功率 芯片 背面 合金 电镀 方法 | ||
【主权项】：
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