[发明专利]一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法

说明书

本发明公开了一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，涉及芯片电镀技术领域。一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其合成步骤如下：以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0‑7.0，开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂。本发明可以获得合金组成质量分数波动度较小的合金镀层，提高了镀层的稳定性，使得合金镀层的熔点均一，从而有利于焊接凸块熔点，提高了电子产品的质量。

技术领域

本发明涉及芯片电镀技术领域，具体为一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法。

背景技术

微波芯片是微波射频集成电路的组成部分，是无线通讯领域的核心技术，在对微波芯片进行安装时，需要先在微波芯片的背面进行电镀，然后再从微波芯片的下面安装散热基板，而目前传统的金锡合金镀层所采用的镀液，大多采用含亚硫酸金盐、可溶性锡盐和硫代硫酸盐的镀液，或者是含有焦磷酸、柠檬酸和氨基羧酸等的镀液，但是这些传统的镀液的镀层的稳定性较差，容易引起合金镀层组成的波动较大，使得镀层中的Au的质量分数相差较大，从而导致镀层熔点出现较大的差异，不利于后期的焊接。

发明内容

本发明的目的在于提供一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，其合成步骤如下：

以钛棒A作为阳极，以半导体芯片B作为阴极，将钛棒A和半导体芯片B依次放入电解槽中，用抗蚀剂掩蔽半导体芯片B中无需电镀的部分，向电解槽中缓慢加入电镀液C并搅拌均匀，调节电镀液C的PH值为3.0-7.0,开始供电，开启升温系统调节电镀液C升高到一定温度，向电解槽中依次加入PH值缓冲剂、光亮剂和镀层结晶调整剂，充分电镀后得到金锡合金镀层。

其中，电镀液C由可溶性Au盐、可溶性Sn²⁺盐、羟基羟酸类化合物、含氮杂环化合物和羟基苯化合物组成，所述可溶性Au盐为KAu(CN)₂，所述可溶性Sn²⁺盐为SnCl₂、SnSO₄、Sn(OH)₂中的任意一种，所述羟基羟酸类化合物为柠檬酸，所述含氮杂环化合物为2-乙基吡呤，所述羟基苯化合物为苯酚。

更进一步地，所述KAu(CN)₂中Au离子质量浓度为0更进一步地5-50g/L，所述可溶性Sn²⁺盐中Sn²⁺质量浓度0更进一步地1-50g/L。

更进一步地，所述半导体芯片B为硅芯片，所述硅芯片的表面镀有Au膜。

更进一步地，所述柠檬酸的质量浓度为50-350g/L。

更进一步地，所述2-乙基吡呤的质量浓度为0.1-25g/L。

更进一步地，所述苯酚的质量浓度为0更进一步地1—10g/L。

更进一步地，所述PH值缓冲剂为H₃BO₃溶液，所述光亮剂为醛类光亮剂。

更进一步地，所述一定温度为38—65摄氏度。

更进一步地，所述镀层结晶调整剂为胺类化合物。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

该GaN微波大功率芯片背面的金锡合金电镀方法，可以获得合金组成质量分数波动度较小的合金镀层，提高了镀层的稳定性，使得合金镀层的熔点均一，从而有利于焊接凸块熔点，提高了电子产品的质量。

具体实施方式