[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110493062.0 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN115312596A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 陈纪孝;李凯霖;陈威任 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一基底，一通道层设置在基底上，一主动层设置在通道层上，其中主动层包含一P型氮化铝镓层，一P型氮化镓栅极设置在主动层上以及一源极电极以及一漏极电极设置于主动层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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