[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

基底；

通道层，设置在该基底上；

主动层，设置在该通道层上，其中该主动层包含P型氮化铝镓层；

P型氮化镓栅极，设置在该主动层上；以及

源极电极以及漏极电极，设置于该主动层上。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该主动层另包含未掺杂氮化铝镓层，设置在该P型氮化铝镓层和该通道层之间，并且该未掺杂氮化铝镓层接触该通道层。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层接触该通道层。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度呈渐变式(gradient)往该通道层方向减少。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质的浓度越靠近该通道层越小。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度呈阶梯式。

7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度介于1E16 atoms/cm³至1E19 atoms/cm³之间。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质浓度为该P型氮化镓栅极中的P型掺质浓度的6％至12％之间。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型氮化铝镓层中的P型掺质包含C、Mg、Zn或Fe。

10.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包含：

提供基底；

形成通道层在该基底上；

形成主动层在该通道层上，其中该主动层包含P型氮化铝镓层；

形成P型氮化镓栅极设置在该主动层上；以及

形成源极电极以及漏极电极设置于该主动层上。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中形成该P型氮化铝镓层的步骤包含：

形成未掺杂氮化铝镓层覆盖该通道层；

形成P型氮化镓层覆盖该未掺杂氮化铝镓层，在形成该P型氮化镓层的同时，将部分位于该P型氮化镓层中的P型掺质扩散进入该未掺杂氮化铝镓层，使得该未掺杂氮化铝镓层转变成该P型氮化铝镓层：以及

图案化该P型氮化镓层以形成该P型氮化镓栅极。

12.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中形成该P型氮化铝镓层的步骤包含：

形成未掺杂氮化铝镓层覆盖该通道层；

形成P型氮化镓层覆盖该未掺杂氮化铝镓层；

在完成该P型氮化镓层之后，将部分位于该P型氮化镓层中的P型掺质扩散进入该未掺杂氮化铝镓层，使得该未掺杂氮化铝镓层转变成该P型氮化铝镓层；以及

图案化该P型氮化镓层以形成该P型氮化镓栅极。

13.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中形成该P型氮化铝镓层的步骤包含：

进行化学气相沉积法并通入P型掺质以原位(in-situ)掺杂方式形成该P型氮化铝镓层。

14.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该主动层另包含未掺杂氮化铝镓层设置在该P型氮化铝镓层和该通道层之间，并且该未掺杂氮化铝镓层接触该通道层。

15.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该P型氮化铝镓层接触该通道层。