[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110480911.9 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113206074A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡佩庭;张钦福;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/01 | 分类号： | H01L27/01;H01L21/822;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括间隔设置的多个下电极；其中，所述下电极具有外侧部；设置于每个下电极周围并与每个下电极外侧部直接接触的支撑层；其中，所述支撑层包括间隔设置的多个开口部；每个所述开口部与若干所述下电极接触，每个所述下电极的侧壁外侧部至少部分与所述支撑层接触，且至少一个所述下电极的横切面与所述开口部的横切面的重叠部分的总面积大于单个所述下电极的横切面面积的70％。本申请中，即使该下电极与支撑层接触的部分面积很小，该下电极也不会倒塌，开口部得以暴露出该下电极的大部分表面，在维持下电极不会倒塌的基础上，大大降低了电容介质层和上电极的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
