[发明专利]一种半导体薄膜复合结构件的制备方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜复合结构件的制备方法，该方法包括以下步骤：a)在衬底表面设置像素点阵结构和读出电路，所述像素点阵结构由多个像素单元构成；b)将设置有像素点阵结构和读出电路的衬底置于宽禁带氧化物膜层生长设备中；用掩模挡住读出电路，在20～450℃条件下进行宽禁带氧化物膜层的生长，得到半导体薄膜复合结构件。本发明提供的制备方法直接在设置好像素点阵结构和读出电路的衬底上低温生长构建宽禁带氧化物半导体膜层，具有制备简单，易于控制的特点；制得的复合结构件后续再刻蚀掉生长在相邻两个像素单元之间的膜层后即可得到性能优良的半导体紫外探测器件，具有十分广阔的市场前景。