[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110471168.0 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN115249650A | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘中元 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区以及若干第二区，第一区位于相邻的第二区之间，第一区上具有若干相互分立的第一鳍部，第二区上具有若干相互分立的第二鳍部；在形成第一鳍部和第二鳍部之后，在衬底上形成隔离层，隔离层的顶部表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面；在形成隔离层之后，去除第二鳍部，在隔离层内形成若干隔离开口；在隔离开口内形成填充层。通过先形成第一鳍部和第二鳍部，由于相邻的鳍部之间的间距均匀，因此使得在形成隔离层的过程中，所使用的刻蚀工艺在第一区和第二区上的刻蚀环境一致，进而保证最终形成的隔离层的顶部表面水平，使得最终形成的半导体结构的性能提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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