[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110470376.9 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113823672A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 矢田乡昌稔;白石尚宽;近藤胜则;渡部宪佳 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/082;H01L21/8222;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;王莉莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供容易调整饱和电压且能够抑制特性的波动的半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：设于半导体基板的主面的第一、第二沟槽；在第一沟槽与第二沟槽之间设于主面的第二导电型的第一半导体层；在主面的与第一半导体层之间隔着第一沟槽且与第一沟槽接触的第一导电型的第二半导体层；设于第二半导体层之下且与第二半导体层及第一沟槽接触的第二导电型的第三半导体层；设于第三半导体层之下、与第三半导体层接触且与第一沟槽分离的第一导电型的第四半导体层；在主面的与上述第一半导体层之间隔着第二沟槽的第二导电型的第五半导体层；经由绝缘膜设置在第一沟槽内的栅极沟槽电极；以及经由绝缘膜设置在第二沟槽内的发射极沟槽电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三美电机株式会社，未经三美电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110470376.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高数值稳定性带限数字预失真求解方法
- 下一篇：分拣控制系统
- 同类专利
- 专利分类
