[发明专利]一种SONOS器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种SONOS器件的制作方法，首先提供一半导体基底，半导体基底定义有存储管区、选择管区和外围逻辑区，半导体基底上形成有ONO层，ONO层覆盖存储管区、选择管区和外围逻辑区，然后在所述半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开选择管区和外围逻辑区，接着去除选择管区和外围逻辑区的ONO层后进行表面清洗，然后再在半导体基底的正面涂覆光刻胶并显影，打开所述存储管区和选择管区，最后在存储管区和选择管区进行离子注入后进行表面清洗。本发明通过在SONOS器件的制作过程中进行两次表面清洗，从而达到良好的清洗效果，实现将残留的聚合物和光刻胶彻底清除，可有效改善后续离子注入的均匀性，改善器件均一性和可靠性。