[发明专利]半导体装置与其制造方法在审
| 申请号： | 202110457684.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314612A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;许哲铭;傅劲逢;林焕哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置与其制造方法。半导体装置包括第一源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第一导体通道的末端。半导体装置包括第二源极/漏极结构，耦接至沿着第一方向延伸的第二导体通道的末端。半导体装置包括第一内连线结构，延伸穿过层间介电层并电性耦接至第一源极/漏极结构。半导体装置包括第二内连线结构，延伸穿过层间介电层以电性耦接至第二源极/漏极结构。半导体装置包括第一隔离结构，位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间，并延伸至层间介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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