[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110457319.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113257891B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;林科闯;孙希国;蔡仙清;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/265;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/338;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，晶体管包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层，还包括相对设置在势垒层上方有源区处的源极和漏极，设置在有源区处的源极和漏极之间栅极区域处的势垒层表面的P型氮化物栅层，在P型氮化物栅层上设置栅极；有源区处的源极与漏极之间栅极区域处的势垒层表面的P型氮化物栅层为沿着栅宽方向的M个P型掺杂区，M个P型掺杂区的掺杂浓度不规则排列。采用本发明晶体管及其制作方法，形成M个P型掺杂区不规则排列，形成具有不同关断电压的区域栅极，沿着栅宽方向形成不同的关断电压不规则排布，保证总体器件在开态漏极电流均匀分布的同时，实现器件跨导的平整性，使器件在射频工作时随着输入功率的增加，器件增益保持不变，线性度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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