[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110454881.4 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN113224138A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郭紫微;游明华;李启弘 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/02;H01L21/285;H01L29/04;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/45;H01L21/336;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 根据一些实施例，本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：栅极堆叠件，设置在半导体衬底上方；以及源极/漏极部件，设置在所述半导体衬底中且邻近所述栅极堆叠件，其中，所述源极/漏极部件包括：第一半导体材料，包括第一浓度的掺杂剂；第二半导体材料，设置在所述第一半导体材料上方，所述第二半导体材料包括第二浓度的掺杂剂，所述第二浓度大于所述第一浓度；和第三半导体材料，设置在所述第二半导体材料上方，所述第三半导体材料包括小于所述第二浓度的第三浓度的掺杂剂，其中，所述第三半导体材料的顶面限定凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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