[发明专利]一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110453139.1 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113308669B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘风光;吴鹏;洪宾;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01F41/18;H10N52/85 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 奚华保 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种稀磁半导体制备技术领域，具体涉及一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)称取适量的锌源和锰源粉末，球磨混合均匀；2)将混合粉末掺入有机粘合剂并调和均匀，压制成圆饼状复合物；3)将圆饼状复合物在400‑1100℃的条件下进行煅烧6‑8小时，冷却至室温得到Zn |
||
| 搜索关键词： | 一种 mn 掺杂 zno 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院），未经北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110453139.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
