[发明专利]平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法在审
| 申请号： | 202110448665.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113363315A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张曌;李杰;刘玮 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄恕 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法，该方法包括：在导电外延片上形成氧化层，在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶，掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶，腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层，回填淀积掺杂多晶，掩备预留的平面多晶硅栅，刻蚀多余多晶预留预设宽度的平面栅，掺杂注入形成原胞上的P阱结构扩散形成P阱。在P阱形成电流区结构并注入掺杂硼离子形成硼晕环，淀积掺杂氧化层，开出G极接触孔、S极接触孔、电位平衡虚拟栅接触孔的金属接触区。刻蚀S极接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱，并注入形成S极P阱接触区的欧姆接触后进行孔退火，并淀积金属光刻、刻蚀形成S极的引线接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 晶体管 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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