[发明专利]一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法在审
| 申请号： | 202110448539.3 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113151800A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 于伟华;朱建中;鞠德胜;万荣群 | 申请（专利权）人： | 宜兴市海飞陵电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/32 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 李莹 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市宜兴经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅涂层及其过渡层和制备方法，涉及表面处理技术领域。过渡层的制备方法包括：将硅改性酚醛树脂以及活性炭添加到溶剂中，制备混合试剂；将混合试剂均匀涂覆到基材表面，并烘干；将基材放入CVD反应器内，抽真空至0.1‑1mbar；在惰性气体保护下升温至650‑850℃后保温，同时，保持CVD反应器内的压力为80‑200mbar；在保温0.5‑2小时后，保持反应器内压力不变，升温至1300‑1400℃后，保温2.5‑4小时；降温至550‑750℃；在反应器内通入空气进行吹扫，并保温3‑5小时。通过在基材表面设置一层多孔结构的过渡层，可在沉积碳化硅时增加基材与碳化硅之间的结合力，使得碳化硅涂层更加致密，降低涂层表面粗糙度，并且有利于将基材和外部环境隔绝，避免基材的杂质带入后续的系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 涂层 及其 过渡 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
