[发明专利]在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法在审
| 申请号： | 202110447012.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113555315A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金基康;权学龙;金熙哲;姜成圭;李承桓;金成培;J.H.安;S.R.金;K.M.金;Y.M.金 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578;C23C16/56;C23C16/505 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及在半导体衬底上方的三维结构中填充间隙。该方法可以包括使用利用具有第一频率的第一射频(RF)功率激活的至少一种反应气体将薄膜至少沉积在衬底上方的三维结构上，所述三维结构包括沟槽和/或孔。该方法还可以包括使用利用具有小于第一频率的第二频率的第二RF功率激活的至少一种蚀刻剂蚀刻沉积的薄膜。该方法还可以包括重复至少一次沉积和蚀刻的循环，直到沟槽和/或孔被薄膜填充。根据一些实施例，可以在三维结构中形成基本上没有空隙和/或接缝的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 三维 结构 填充 间隙 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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