[发明专利]一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺有效
| 申请号： | 202110435726.8 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113161289B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;莫炯炯;顾毛毛;郭西;高群 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺。本发明高深宽比TSV金属柱的电镀工艺包括以下步骤：在硅片的上下表面分别制作第一TSV盲孔和第二TSV盲孔，第一TSV盲孔与第二TSV盲孔之间有硅材质或钝化层隔离；在硅片的表面和TSV盲孔侧壁形成钝化层，然后在硅片的一面和第一TSV盲孔侧壁沉积种子层；干法刻蚀钝化层，然后将种子层作为导电层继续在硅片表面和TSV盲孔中电镀金属层，退火后抛光所述硅片双面的金属层，得到TSV盲孔填满金属柱的双孔互联的硅片结构，能够方便地制备具有高深宽比TSV金属柱的转接板，为制备具有较深TSV结构的转接板提供了一种新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 tsv 金属 电镀 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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