[发明专利]一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺

权利要求书

1.一种高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，在硅片（101）的A面制作第一TSV盲孔（102A），然后在硅片（101）B面对应位置制作第二TSV盲孔（102B），所述第一TSV盲孔（102A）与第二TSV盲孔（102B）之间有硅材质隔离；

步骤S2，将步骤S1中开设有TSV盲孔的硅片（101）高温退火，在所述硅片（101）的A、B两面和TSV盲孔（102）侧壁形成钝化层（103），所述钝化层（103）为氧化硅，然后在所述硅片（101）的A面和第一TSV盲孔（102A）侧壁沉积种子层（104），并电镀第一金属层（105A），得到A面带有TSV金属柱的硅片；

步骤S3，干法刻蚀掉所述第一TSV盲孔（102A）与第二TSV盲孔（102B）之间的钝化层（103），然后将硅片A面的种子层（104）作为导电层继续在所述硅片（101）B面的第二TSV盲孔（102B）中电镀第二金属层（105B），退火后抛光所述硅片（101）表面的金属层（105），得到TSV盲孔（102）填满金属柱的双孔互联结构。

2.根据权利要求1所述的高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，所述第一TSV盲孔（102A）与第二TSV盲孔（102B）通过光刻刻蚀工艺形成在硅片（101）表面，孔直径为1-100μm，孔深度为10-1000 μm，并且孔深度与孔直径的比值不小于10。

3.根据权利要求1所述的高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，所述第一TSV盲孔（102A）与第二TSV盲孔（102B）之间硅材质的厚度为0.1-20μm。

4.根据权利要求1所述的高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，所述种子层（104）通过物理溅射、磁控溅射或蒸镀工艺形成在所述钝化层（103）上。

5.根据权利要求1所述的高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，所述种子层（104）是一层或多层金属层，厚度为0.001-100μm，金属材质是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡和镍中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的高深宽比TSV金属柱的电镀工艺，其特征在于，电镀后所述金属层（105）在200-500℃下密化。