[发明专利]一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关有效

专利信息
申请号: 202110430364.3 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113206658B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 沈光煦 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 韩红莉
地址: 210046 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关,包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口VgN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元,N个谐振单元均由一端接地的晶体管与一端接地的补偿电感并联构成,第一射频端口P1和第二射频端口P2之间电连接有至少N+1个耦合电感和N个谐振单元,第一射频端口P1和谐振单元之间电连接有耦合电感,第二射频端口P2和谐振单元之间电连接有耦合电感,谐振单元之间电连接有耦合电感。本发明公开的半导体射频单刀单掷开关具有尺寸小、导通传输损耗低的优点,通过提出一种耦合谐振式拓扑,可以实现宽带匹配,特别适用于毫米波频段。
搜索关键词: 一种 基于 耦合 谐振 半导体 射频 单刀 开关
【主权项】:
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