[发明专利]一种CMOS结构栅极驱动器在审
| 申请号： | 202110420083.X | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113179093A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄少卿;罗永波;宣志斌;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H02M1/088;H02M1/38 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种CMOS结构栅极驱动器，属于集成电路领域，包括输出驱动级、死区时间控制电路、NMOS控制电路和PMOS控制电路。输出驱动级包括PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N1，PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N1的漏极相连，作为CMOS驱动器的输出端OUT；死区时间控制电路包括第一逻辑单元、第二逻辑单元、第三逻辑单元和第四逻辑单元；第二逻辑单元接PMOS晶体管P1的栅极，第四逻辑单元的接NMOS晶体管N1的栅极；NMOS控制电路接第三逻辑单元；PMOS控制电路接第一逻辑单元。将第一逻辑单元和第三逻辑单元中的PMOS晶体管栅极和NMOS晶体管栅极分离，将第二逻辑单元中的NMOS晶体管和第四逻辑单元中的PMOS晶体管组成交叉耦合结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 结构 栅极 驱动器 | ||
【主权项】：
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