[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板在审
| 申请号： | 202110417709.1 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113130327A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王利忠;宁策;邸云萍;童彬彬;张震;张振宇;李付强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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