[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料包括氢元素；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一过孔和多个第二过孔；

在所述第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物结构，所述金属氧化物结构包括依次连接的第一结构，第二结构以及第三结构，所述第一结构的至少部分位于所述第一过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述第三结构的至少部分位于所述第二过孔内且与所述第一绝缘层接触；

对所述第一绝缘层进行加热，使得所述第一绝缘层中的氢元素扩散至所述第一结构和所述第三结构，以对所述第一结构和所述第三结构进行导体化，得到所述氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，包括：

采用硅烷和氨气反应以在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料还包括氮化硅。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，包括：

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料层；

对所述绝缘材料层进行刻蚀，得到形成有所述第一过孔和所述第二过孔的第二绝缘层。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：

在衬底基板的一侧形成第一栅极图案；

其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二结构在所述衬底基板上的正投影。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板；

采用如权利要求1至4任一所述的方法，在所述衬底基板上形成多个氧化物薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第二绝缘层之前，所述方法还包括：

在所述氧化物薄膜晶体管中第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成多个数据线；

其中，所述氧化物薄膜晶体管中第二绝缘层中的第一过孔用于露出一个所述数据线的至少部分，所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第一结构通过所述第一过孔与所述数据线电连接。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，在形成用于形成氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案的金属氧化物结构之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板的一侧形成彩膜层；

其中，所述彩膜层包括与所述多个氧化物薄膜晶体管一一对应的不同颜色的多个色阻块，每个所述色阻块在所述衬底基板上的正投影与对应的所述氧化物薄膜晶体管的金属氧化物图案中导体化后的第三结构在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。

8.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第一栅极图案之前，所述方法还包括：

在所述衬底基板的一侧形成沿像素行方向延伸的多个扫描线；

其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影沿像素列方向的长度，大于所述扫描线在所述衬底基板上的正投影沿所述像素列方向的长度。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述衬底基板具有显示区域以及位于所述显示区域一侧的周边区域；所述阵列基板包括的所述多个氧化物薄膜晶体管位于所述显示区域；所述方法还包括：

在所述周边区域形成多个多晶硅薄膜晶体管，每个所述多晶硅薄膜晶体管包括有源图案，第二栅极图案以及源漏极图案；

其中，所述第二栅极图案与所述多个扫描线位于同层，所述源漏极图案与所述阵列基板的多个数据线位于同层，且所述源漏极图案与所述有源图案电连接。