[发明专利]氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板

说明书

本申请公开了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，涉及显示技术领域。该制备方法在依次形成第一绝缘层，第二绝缘层以及金属氧化物结构之后，可以对第一绝缘层进行加热，以使得第一绝缘层中的氢元素扩散至与该第一绝缘层接触的金属氧化物结构中的第一结构和第三结构中，以实现对该第一结构和第三结构的导体化，从而得到金属氧化物图案。本申请提供的制备方法无需设置导体化掩膜板以实现第一结构和第三结构的导体化，所需的掩膜板的数量较少，制备成本较低。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板。

背景技术

氧化物薄膜晶体管因其漏电流低以及透过率高等特点而在显示面板中得到了广泛的应用。其中，氧化物薄膜晶体管通常包括金属氧化物图案。

相关技术中，在制备氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案时，需先在衬底基板上形成金属氧化物薄膜，然后在金属氧化物薄膜远离衬底基板的一侧设置图案化掩膜板，以对金属氧化物膜层进行图案化处理得到金属氧化物结构a。之后，需采用导体化掩膜板遮挡金属氧化物结构的部分区域，并向未被导体化掩膜板遮挡的区域注入离子，实现对该未被遮挡的区域的导体化，以得到金属氧化物图案。

但是，由于上述制备方法所需的掩膜板的数量较多，制备成本较高。

发明内容

本申请提供了一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板、制备方法及显示面板，可以解决相关技术中制备成本较高的问题。所述技术方案如下：

一方面，提供了一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：

在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料包括氢元素；

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一过孔和多个第二过孔；

在所述第二绝缘层远离衬底基板的一侧形成金属氧化物结构，所述金属氧化物结构包括依次连接的第一结构，第二结构以及第三结构，所述第一结构的至少部分位于所述第一过孔内且与所述第一绝缘层接触，所述第三结构的至少部分位于所述第二过孔内且与所述第一绝缘层接触；

对所述第一绝缘层进行加热，使得所述第一绝缘层中的氢元素扩散至所述第一结构和所述第三结构，以对所述第一结构和所述第三结构进行导体化，得到所述氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物图案。

可选的，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，包括：

采用硅烷和氨气反应以在衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料还包括氮化硅。

可选的，在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二绝缘层，包括：

在所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料层；

对所述绝缘材料层进行刻蚀，得到形成有所述第一过孔和所述第二过孔的第二绝缘层。

可选的，在衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：

在衬底基板的一侧形成第一栅极图案；

其中，所述第一栅极图案在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二结构在所述衬底基板上的正投影。

另一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：

提供一衬底基板；

采用如上述方面所述的方法，在所述衬底基板上形成多个氧化物薄膜晶体管。

可选的，在形成所述氧化物薄膜晶体管中的第二绝缘层之前，所述方法还包括：

在所述氧化物薄膜晶体管中第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成多个数据线；