[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110417636.6 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113571508A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 李昭贤;文成洙;李载悳;朱益亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 田野;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有由器件隔离膜限定并提供第一沟道区的有源区；第一源/漏区，位于第一沟道区的第一侧和第二侧上的有源区中；栅极结构，具有顺序地布置在有源区上的第一栅极绝缘膜、共用栅电极和第二栅极绝缘膜；覆盖半导体层，位于第二栅极绝缘膜上并且与有源区电分离以提供第二沟道区；第二源/漏区，位于第二沟道区的第一侧和第二侧上的覆盖半导体层中；第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件，分别连接到第一源/漏区和第二源/漏区；以及共用栅极接触件，连接到共用栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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