[发明专利]半导体热处理设备在审
| 申请号： | 202110401231.3 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140487A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨慧萍;杨帅 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的半导体热处理设备，工艺腔室中设置有用于容纳晶圆支撑组件的工艺空间，底部设置有供晶圆支撑组件进出的开口，顶部设置有排气口，工艺腔室侧壁的底部设置有进气口；晶圆支撑组件可升降，晶圆支撑组件升入工艺腔室中后密封工艺腔室底部的开口；加热筒套设在工艺腔室上，用于加热工艺腔室；进气管路与进气口连通，用于向工艺空间中输送气体；排气管路穿过加热筒与排气口连通，用于排出工艺空间中的气体；气液分离装置，与排气管路连通，用于液化并收集从工艺空间中排出的气体中的工艺副产物，并排出剩余的气体。本发明实施例提供的上述半导体热处理设备，可以实现晶圆的颗粒和含氧量控制，提高温度控制精度和温度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 热处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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