[发明专利]一种鲁棒性高的半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 202110399546.9 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113130628B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种鲁棒性高的半导体装置，包括半导体衬底、设于半导体衬底背面的集电极及集电极金属层、设于半导体衬底表面的栅氧化层及栅氧化层上方的多个栅极多晶硅、位于栅极多晶硅上方的绝缘介质层及金属互联层，其特征在于：半导体衬底的表面还设有多个有效源区及纵向载流子调整区，有效源区或纵向载流子调整区位于相邻栅极多晶硅之间，有效源区及纵向载流子调整区均包括阱区、阱区上方的第一载流子掺杂区、位于第一载流子掺杂区上方的第二载流子掺杂区，有效源区与金属互联层电性连接，纵向载流子调整区与金属互联层电性隔绝。本发明的鲁棒性高的半导体装置尺寸较小且成本较低。此外，本发明还提供了制造该半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鲁棒性高 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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